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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=2A,VGS=±30V,Rds=3.5Ω,封装:TO252
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同步降压,输入2.5V-5.5V ,输出ADJ,输出电流1A,1.5MHZ,Vf 0.6V,封装SOT23-5
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N沟道MOS,Vdss=650V,Id=2A,VGS=±30V,Rds=4Ω,封装:TO251
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同步降压,输入2.5V-5.5V ,输出ADJ,输出电流2A,1.2MHZ,Vf 0.6V,封装SOT23-5
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LDO,输入电压3-16V,输出电压3.3V,输出电流500mA; Iq 10uA,封装:SOT23-5
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同步降压,输入电压2.6V-6V,电流1.5A;频率:2MHz, Vf0.6V
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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=4A,VGS=±30V,Rds=2.4Ω,封装:TO251
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同步降压,输入电压4V-30V,电流2A;频率:500KHz, Vf0.8V
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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=4A,VGS=±30V,Rds=2.4Ω,封装:TO252
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LDO,输入电压3-16V,输出电压5.0V,输出电流500mA; Iq 10uA,封装:SOT23-5
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