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N沟道MOS,Vdss=650V,Id=10A,VGS=±30V,Rds=0.65Ω,封装:TO220F,
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LDO,输入电压:-0.3~6V,输出电压:1.2V,输出电流:300mA ,封装:SOT23-3,
小体积,电流足,耐压高,功耗低
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电压复位芯片,工作电压0.9V-6.0V,输出电压4.0V,复位延时时间350ms,精度±2%,封装SOT23-3
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LDO,输入电压1.5V-8V,输出电压1.2V,200MA,封装:SOT23-3
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LDO,输入电压:-0.3~7V,输出电压:1.2V,输出电流:500mA ,封装:SOT23-5,
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N沟道MOS,不带ESD保护,Vdss=28V,Id=3.8A,VGSmin=0.7V,VGSmax=1.4V,Rds=33mΩ@Vgs=4.5V,封装SOT-23
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LDO,输入电压:-0.3~7V,输出电压:1.5V,输出电流:500mA ,封装:SOT23-5,
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电压复位芯片,工作电压0.9V-6.0V,输出电压4.63V,复位延时时间350ms,精度±2%,封装SOT23-3
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LDO,输入电压1.5V-8V,输出电压1.8V,200MA,封装:SOT23-3
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LDO,输入电压:-0.3~7V,输出电压:1.8V,输出电流:500mA ,封装:SOT23-5
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