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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=1A,VGS=±30V,Rds=7Ω,封装TO92
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同步降压,输入电压:4V-30V,输出电压:ADJ,输出电流:2A;500KHZ;内置MOS, Vf 0.6v,封装:SOT23-6
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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=20A,VGS=±30V,Rds=0.35Ω, 封装TO220F
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电压复位芯片,工作电压0.9V-6.0V,输出电压3.08V,复位延时时间350ms,精度±2%,封装SOT23-3
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同步降压,输入4-18V ,输出ADJ,输出电流2A,1MHZ,Vf 0.6V,封装SOT23-6
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N沟道MOS,Vdss=650V,Id=20A,VGS=±30V,Rds=0.35Ω, 封装TO220F
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电荷泵升压,输入电压2.7-5.5V,输出电压5V,输出电流250MA,Iq 1uA,频率 1.2MHZ,封装SOT23-6
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锂电保护,过充检测:4.375V,过充恢复:4.1V,过放检测:2.4V,过放恢复:3V,封装:SOT23-6,
可与8205配套出
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P沟道MOS,Vdss=-20V,Id=-3A,VGS=±12V,Rds60mΩ,封装:SOT23L,
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电荷泵升压,输入电压1.8-5V,输出电压3.3V,输出电流150MA,Iq 1uA,频率1.2MHZ,封装SOT23-6
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