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LDO,输入电压1.5V-8V,输出电压2.8V,200MA,封装:SOT23-3
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LDO,输入电压:-0.3~7V,输出电压:3.3V,输出电流:500mA ,封装:SOT23-5
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LDO,输入电压1.5V-8V,输出电压3.6V,200MA,封装:SOT23-3
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N沟道MOS,Vdss=100V,Id=120A,VGS=±20V,Rds=7.5mΩ,封装:TO220
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8位MCU,2K FLASH,256B EEPROM,工作电压:2~5V, 封装SOP8,8位MCU,2K FLASH,256B EEPROM,1/SN1301 USS
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电压复位芯片,工作电压0.9V-6.0V,输出电压2.93V,复位延时时间350ms,精度±2%,封装SOT23-3
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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=1A,VGS=±30V,Rds=7Ω,封装:SOT223,
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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=1A,VGS=±30V,Rds=7Ω,封装TO251
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N沟道MOS,Vdss=600V,Id=1A,VGS=±30V,Rds=7Ω,封装:SOT252,
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电压复位芯片,工作电压0.9V-6.0V,输出电压3.08V,复位延时时间350ms,精度±2%,封装SOT23-3
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